- T2N7002BK,LM
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 400 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 320 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN63D8LW-13
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 380 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 300 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- 2V7002LT3G
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 115 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 225 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SSM3K7002CFU,LF
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 170 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 150 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: USM, упаковка: Cut Tape.
- NX7002AKW,115
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 170 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 220 мВт (Ta), 1,06 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: SOT-323-3, упаковка: Cut Tape.
- RU1J002YNTCL
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: UMT3F, упаковка: Cut Tape.
- NTR4003NT3G
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 500 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 690 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- 2N7002K-7
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 380 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 370 мВт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- NX3020NAK,215
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 мВт (Ta), 1,06 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- NX3020NAKW,115
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 260 мВт (Ta), 1,1 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: SOT-323-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS123L
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 170 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- SSM3K15AFU,LF
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: USM, упаковка: Cut Tape.
- SSM3K35CTC,L3F
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 250 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: CST3C, упаковка: Cut Tape.
- DMN65D8LFB-7B
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 260 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 430 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: X1-DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- 2V7002LT1G
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 115 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 225 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- BSS138P,215
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 360 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), 1,14 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- SSM3K37MFV,L3F
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 250 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: VESM, упаковка: Cut Tape.
- SSM3K15AMFV,L3F
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: VESM, упаковка: Cut Tape.
- 2N7002H-7
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 170 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 370 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- RUC002N05T116
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 200 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: SST3, упаковка: Cut Tape.
- RSC002P03T316
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 250 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: SST3, упаковка: Cut Tape.
- DMP210DUFB4-7
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: X2-DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- 2N7002PW,115
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 310 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 260 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: SOT-323-3, упаковка: Cut Tape.
- SSM3K15AFS,LF
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: SSM, упаковка: Cut Tape.
- 2N7002E-7-F
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 250 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 370 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед