- AOB2500L
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11,5 А (Ta), 152 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 375 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: TO-263 (D²Pak), упаковка: Cut Tape.
- SI7439DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7431DP-T1-E3
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 2,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS5C604NLT1G
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 38 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,9 Вт (Ta), 200 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- FDBL9401_F085
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 300 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 429 Вт (Tj), монтаж SMD, корпус изделия: 8-PSOF, упаковка: Cut Tape.
- STB12NK80ZT4
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 10,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 190 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BBS3002-DL-1E
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 100 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 90 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- TK31V60X,LQ
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 30,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 240 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: 5-DFN (8x8), упаковка: Cut Tape.
- FDB075N15A
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 130 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 333 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- STL33N60M2
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 22 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 190 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: PowerFlat™ (8x8) HV, упаковка: Cut Tape.
- IXTA44P15TTRL
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 44 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 298 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: TO-263 (IXTA), упаковка: Cut Tape.
- FDB035AN06A0
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 22 А (Ta), 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 310 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- SUM110P08-11L-E3
MOSFET транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 110 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 13,6 Вт (Ta), 375 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- SUM110P04-04L-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 110 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,75 Вт (Ta), 375 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- FDB035N10A
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 333 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB031N08
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 375 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- IXTA3N120TRL
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 1200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: TO-263 (IXTA), упаковка: Cut Tape.
- STH310N10F7-6
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 315 Вт (Tc), монтаж SMD, упаковка: Cut Tape.
- STB11NM80T4
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- 2N7002P,235
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 360 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- 2N7002LT3G
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 115 мА (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 225 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- NTR5103NT1G
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 260 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 300 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- NX7002AK,215
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 190 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 265 мВт (Ta), 1,33 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- RK7002BMT116
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 250 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 200 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: SST3, упаковка: Cut Tape.
- T2N7002AK,LM
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 320 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед