- SIR804DP-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- NDB6060L
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 48 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- FDMS86300
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 19 А (Ta), 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- TPW1R306PL,L1Q
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 260 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 960 мВт (Ta), 170 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 8-DSOP Advance, упаковка: Cut Tape.
- SQJ461EP-T1_GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 83 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SQJ469EP-T1_GE3
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 32 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 100 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SUD50P04-15-E3
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 100 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- STD120N4F6
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS2734
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 2,8 А (Ta), 14 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-MLP (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- TK20V60W5,LVQ
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 156 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: 5-DFN (8x8), упаковка: Cut Tape.
- FDB52N20TM
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 52 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 357 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB5800
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 14 А (Ta), 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 242 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- FQB47P06TM_AM002
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 47 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,75 Вт (Ta), 160 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- SI7174DP-T1-GE3
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7192DP-T1-GE3
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- STL140N4LLF5
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 140 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 80 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- BUK962R5-60E,118
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 357 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB44N25TM
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 44 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 307 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86101DC
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14,5 А (Ta), 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,2 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: Dual Cool™56, упаковка: Cut Tape.
- SUM55P06-19L-E3
MOSFET транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 55 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,75 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R5-30BLEJ
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 401 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SUM110P06-07L-E3
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 110 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,75 Вт (Ta), 375 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- FDB8441
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 28 А (Ta), 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- SUM110N10-09-E3
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 110 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,75 Вт (Ta), 375 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- FDB3632
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 310 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед