- FDMS037N08B
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 830 мВт (Ta), 104,2 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDMS3572
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,8 А (Ta), 22 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-MLP (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- SI7164DP-T1-GE3
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- TP2540N8-G
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока (непрерывный): Iс = 125 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: TO-243AA (SOT-89), упаковка: Cut Tape.
- SI7463DP-T1-E3
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,9 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7463DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86300DC
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 24 А (Ta), 76 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,2 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: Dual Cool™56, упаковка: Cut Tape.
- SI7430DP-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 26 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,2 Вт (Ta), 64 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SIR882DP-T1-GE3
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5,4 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- TPHR9003NL,L1Q
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- SUD40N08-16-E3
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- STB40NF10LT4
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SUD50P08-25L-E3
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 8,3 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SI7489DP-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 28 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,2 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SUD50P10-43L-E3
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 37,1 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 8,3 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- PSMN015-100B,118
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- TK55S10N1,LQ
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 55 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 157 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: DPAK+, упаковка: Cut Tape.
- SIR880DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SUD19N20-90-E3
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 19 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- BUK7610-100B,118
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDB33N25TM
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 33 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 235 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D²PAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86500DC
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 29 А (Ta), 108 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,2 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: Dual Cool™56, упаковка: Cut Tape.
- FQB5N90TM
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 900 В, ток стока: Iс = 5,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,13 Вт (Ta), 158 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- SIR470DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SUD50N06-09L-E3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед