- SIR158DP-T1-GE3
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5,4 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- STL90N6F7
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,8 Вт (Ta), 94 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- FDS2734
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- STL3NM60N
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 650 мА (Ta), 2,2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 22 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PowerFlat™ (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FQD3P50TM
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 2,1 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R0-40YLDX
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 198 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86200
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,6 А (Ta), 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: Power56, упаковка: Cut Tape.
- SIR404DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FQB27P06TM
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 27 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,75 Вт (Ta), 120 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- SUD50P06-15-GE3
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 113 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SI7116DN-T1-GE3
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 10,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7190DP-T1-GE3
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 18,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5,4 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- TN2540N8-G
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока (непрерывный): Iс = 260 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: TO-243AA (SOT-89), упаковка: Cut Tape.
- SI7812DN-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7812DN-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86104
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Ta), 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 73 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: Power56, упаковка: Cut Tape.
- SI4423DY-T1-E3
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI7478DP-T1-GE3
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,9 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- STL11N65M5
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 8,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 70 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PowerFLAT™ (5x5), упаковка: Cut Tape.
- SI7178DP-T1-GE3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI4434DY-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,56 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI7135DP-T1-GE3
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7145DP-T1-GE3
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- AON6250
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 13,5 А (Ta), 52 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 7,4 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- SI7137DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед