- TPW4R50ANH,L1Q
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 92 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 800 мВт (Ta), 142 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 8-DSOP Advance, упаковка: Cut Tape.
- SI7460DP-T1-GE3
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SIR800DP-T1-GE3
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5,2 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7611DN-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 39 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN025-100D,118
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 47 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SI7852ADP-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Ta), 62,5 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- AON6240
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 27 А (Ta), 85 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- SIR876ADP-T1-GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Ta), 62,5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- NDT456P
MOSFET транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 7,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86252
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 4,6 А (Ta), 16 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: Power56, упаковка: Cut Tape.
- FDS5672
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI4122DY-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 27,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 6 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP10A18GTA
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- SI6423DQ-T1-GE3
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,05 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: 8-TSSOP, упаковка: Cut Tape.
- FQB30N06LTM
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 32 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,75 Вт (Ta), 79 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D²PAK (TO-263AB), упаковка: Cut Tape.
- SUD25N15-52-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 25 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SI4378DY-T1-E3
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 19 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R6-40YLC:115
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 288 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SI7852DP-T1-E3
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 7,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI4190ADY-T1-GE3
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 18,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 6 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- AOD11S60
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 208 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- FDMC610P
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: Power33, упаковка: Cut Tape.
- MTD3055V
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,9 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- SI4497DY-T1-GE3
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 36 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 7,8 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDS6681Z
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед