- TPH2R608NH,L1Q
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 150 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 142 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- SIS892DN-T1-GE3
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R2-25YL,115
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 121 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- AON6500
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 71 А (Ta), 200 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 7,3 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- NTB5605PT4G
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 88 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SI4401BDY-T1-E3
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 8,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI4896DY-T1-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,56 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI4401BDY-T1-GE3
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- STD30NF03LT4
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDS6575
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI7850DP-T1-E3
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,8 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI4630DY-T1-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 7,8 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI7113DN-T1-GE3
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 13,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- STD45P4LLF6AG
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 58 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFR9214TRPBF
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 2,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SI7456DP-T1-E3
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 5,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7456DP-T1-GE3
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 5,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,9 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI4421DY-T1-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SUD15N15-95-E3
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 15 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,7 Вт (Ta), 62 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- FDD18N20LZ
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 89 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86101
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12,4 А (Ta), 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: Power56, упаковка: Cut Tape.
- HAT2168H-EL-E
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 30 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 15 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: LFPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDS2572
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDS6574A
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 16 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- AON6403
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 21 А (Ta), 85 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед