- BUK7Y12-55B,115
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 61,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 105 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R1-25YLC,115
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 215 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SIR802DP-T1-GE3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,6 Вт (Ta), 27,7 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SIR464DP-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5,2 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- DN2540N8-G
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока (непрерывный): Iс = 170 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: TO-243AA (SOT-89), упаковка: Cut Tape.
- SI7848BDP-T1-GE3
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 47 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,2 Вт (Ta), 36 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7848BDP-T1-E3
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 47 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,2 Вт (Ta), 36 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SQJ402EP-T1_GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 32 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 83 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7421DN-T1-E3
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 6,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- STD7ANM60N
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 45 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STD30NF06LT4
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 70 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- ZVN4306GTA
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 2,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- SI4154DY-T1-GE3
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 36 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), 7,8 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI7336ADP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 30 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,4 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7336ADP-T1-E3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,4 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDS2582
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 4,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDD13AN06A0
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,9 А (Ta), 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 115 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDS8813NZ
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI4850EY-T1-E3
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,7 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R8-40YLC,115
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 272 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SI7139DP-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDS3672
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 7,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRFR9020TRPBF
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 9,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 42 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- AOD7S60
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 83 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- FDMS86520
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 14 А (Ta), 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед