- FDS8842NZ
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 14,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R2-25YLC,115
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 179 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- IRFR9310TRPBF
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 50 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SI7101DN-T1-GE3
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- FDS4465
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN6A09GTA
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 5,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- FQD2N100TM
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 1000 В, ток стока: Iс = 1,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SI7414DN-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7820DN-T1-GE3
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7414DN-T1-GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN012-100YS,115
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 130 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FDS6576
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI7465DP-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 3,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- RJK0651DPB-00#J5
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: LFPAK, упаковка: Cut Tape.
- SUD19P06-60L-E3
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,7 Вт (Ta), 46 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SI7465DP-T1-GE3
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 3,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI5476DU-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 31 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9), упаковка: Cut Tape.
- DN3545N8-G
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 450 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: TO-243AA (SOT-89), упаковка: Cut Tape.
- SI7322DN-T1-GE3
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SI4459ADY-T1-GE3
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 29 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 7,8 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI7415DN-T1-GE3
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 3,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMC5614P
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 5,7 А (Ta), 13,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDS4141
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP10A18KTC
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,17 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- FDFS2P106A
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 900 мВт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед