Полевые транзисторы | МОП-транзисторы | FET, MOSFET | Каталог

В нашем каталоге представлен широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов (MOSFET) ведущих мировых производителей дискретных полупроводников. У нас можно купить униполярные транзисторы с n-каналом или p-каналом, напряжение сток-исток (U_СИ) в диапазоне от 6 В до 4,5 кВ, ток стока (I_С) от 5 мА до 860 А, сопротивление в открытом состоянии (R_{СИ откр.}) от 0,4 мОм до 1 кОм, рассеиваимая мощность (P_макс.) от 80 мВт до 5 кВт.

IRF7456TRPBF

MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 20 В, ток стока (непрерывный): I_с = 16 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRFR3607TRPBF

Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 75 В, ток стока (непрерывный): I_с = 56 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 140 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

IRF7842TRPBF

MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 40 В, ток стока: I_с = 18 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRF7240TRPBF

MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 40 В, ток стока (непрерывный): I_с = 10,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

BSC057N08NS3GATMA1

Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 80 В, ток стока: I_с = 16 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 2,5 Вт (Ta), 114 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.

SPD06N80C3ATMA1

МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока: I_с = 6 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 83 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.

STD7NM60N

Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока (непрерывный): I_с = 5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 45 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.

STB40NF20

МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока (непрерывный): I_с = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 160 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

IRFS4127TRLPBF

МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока: I_с = 72 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 375 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

SPB20N60C3ATMA1

Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 650 В, ток стока: I_с = 20,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 208 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.

SPB17N80C3ATMA1

МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока (непрерывный): I_с = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 227 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.

IPB107N20N3GATMA1

Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока (непрерывный): I_с = 88 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 300 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.

IPB60R099CPATMA1

Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока (непрерывный): I_с = 31 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 255 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.

BSS138NH6327XTSA2

Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока (непрерывный): I_с = 230 мА (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 360 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.

IRLML6246TRPBF

МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 20 В, ток стока: I_с = 4,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 1,3 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

BSS306NH6327XTSA1

MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 2,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 500 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.

IRLML6244TRPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 20 В, ток стока (непрерывный): I_с = 6,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 1,3 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

IRLML2030TRPBF

МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 2,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 1,3 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

BSS169H6327XTSA1

Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 170 мА (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 360 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.

IRFML8244TRPBF

MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 25 В, ток стока: I_с = 5,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 1,25 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-23, упаковка: Cut Tape.

IRLML0030TRPBF Полевой транзистор с n-каналом

Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 5,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 1,3 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

IRLML9301TRPBF

MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 3,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1,3 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

IRLML2803GTRPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 1,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 540 мВт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

IRLML0040TRPBF

MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 40 В, ток стока (непрерывный): I_с = 3,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1,3 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

IRLTS2242TRPBF

MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 20 В, ток стока: I_с = 6,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 2 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.

Назад Вперед

Drain to Source Voltage -- напряжение сток-исток

Drive Voltage -- управляющее напряжение

Power Dissipation -- рассеиваемая мощность

Gate−to−Source Voltage − Continuous -- напряжение затвор-исток (непрерывное)

Drain Current -- ток стока

Полевые транзисторы (FET, MOSFET)