- SI5403DC-T1-GE3
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 6,3 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: 1206-8 ChipFET™, упаковка: Cut Tape.
- LND150N8-G
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SOT-89-3, упаковка: Cut Tape.
- FDD8447L
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 15,2 А (Ta), 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 44 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- FDD6N50TM_WS
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 89 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SUD19P06-60-GE3
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 38,5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- AON7254
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 5,5 А (Ta), 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,1 Вт (Ta), 39 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: 8-DFN-EP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- BUK9209-40B,118
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 167 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN6A25GTA
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- ZVP2106GTA
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 450 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- NCV8440ASTT1G
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 59 В, ток стока: Iс = 2,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,69 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- PSMN2R6-40YS,115
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 131 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SI7810DN-T1-E3
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SI4866BDY-T1-GE3
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 21,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 4,45 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDD4685
MOSFET транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,4 А (Ta), 32 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 69 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.
- SI7625DN-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- STD44N4LF6
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 44 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- RFD16N05LSM9A
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 16 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: TO-252AA, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y3R0-40E,115
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 194 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FDMC8878
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 9,6 А (Ta), 16,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 31 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: 8-MLP (3.3x3.3), Power33, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN0545G4TA
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 450 В, ток стока (непрерывный): Iс = 140 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- SIR462DP-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,8 Вт (Ta), 41,7 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN0R9-25YLC,115
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 272 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN011-80YS,115
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 67 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 117 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- DN3525N8-G
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 360 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: TO-243AA (SOT-89), упаковка: Cut Tape.
- FDD3860
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 6,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед