- NDT452AP
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- STL60P4LLF6
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- MIC94052YC6-TR
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 6 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 270 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SC-70-6, упаковка: Cut Tape.
- PSMN2R0-30YL,115
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 97 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- NTD6416ANLT4G
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 71 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- NTD25P03LT4G
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 25 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 75 Вт (Tj), SMD-монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SUD23N06-31-GE3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 21,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,7 Вт (Ta), 31,25 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- AON7520
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 48 А (Ta), 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,2 Вт (Ta), 83,3 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: 8-DFN-EP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- NDS9407
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI4116DY-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- ZVN4206GTA
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP3A16GTA
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- SI7119DN-T1-GE3
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SI2337DS-T1-E3
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 2,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 760 мВт (Ta), 2,5 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- FDD4141
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 10,8 А (Ta), 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.
- SI2325DS-T1-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 530 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 750 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- AO4425
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 38 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- AON7242
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Ta), 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,2 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: 8-DFN-EP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDD6637
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 35 В, ток стока: Iс = 13 А (Ta), 55 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 57 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- ZVN4206GVTA
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- NDT451AN
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 7,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- STD16NF06LT4
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 24 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 40 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SI4464DY-T1-E3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 1,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI7117DN-T1-E3
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,17 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,2 Вт (Ta), 12,5 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- FDS8447
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 12,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед