- PSMN020-100YS,115
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 43 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 106 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SI4825DDY-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 14,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,7 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDMC6679AZ
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 11,5 А (Ta), 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 41 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- NTD6416ANT4G
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 71 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- AO4447A
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- SQS401EN-T1_GE3
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 62,5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP10A16KTC
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,15 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- FDD8447L_F085
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 65 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- ZXMP4A16GTA
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- ZVN4525GTA
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 310 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- SI3483CDV-T1-GE3
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 4,2 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- IRFR9024TRPBF
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 8,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SI3430DV-T1-E3
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,14 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- FQD7P20TM
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 55 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SI4435DY
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- DMP4015SSSQ-13
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 9,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,45 Вт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- AON7421
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Ta), 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,2 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: 8-DFN-EP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- SIA456DJ-T1-GE3
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 2,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- SI4156DY-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 24 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 6 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SIA413DJ-T1-GE3
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- SIR424DP-T1-GE3
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,8 Вт (Ta), 41,7 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN040-100MSEX
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 91 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- FDS4685
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 8,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SIS410DN-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SI4425BDY-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед