- FQD1N80TM
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 45 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SIS438DN-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), 27,7 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y12-40EX
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 52 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 65 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- AON7528
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 45 А (Ta), 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,2 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-DFN (3x3), упаковка: Cut Tape.
- AOD409
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 26 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 60 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- FDC5612
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- PSMN011-60MSX
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 61 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 91 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- NTHS4101PT1G
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4,8 А (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1,3 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: ChipFET™, упаковка: Cut Tape.
- SI4425DDY-T1-GE3
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 19,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 5,7 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- AON7423
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 28 А (Ta), 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,2 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: 8-DFN-EP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- ZVN4525E6TA
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 230 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: SOT-23-6, упаковка: Cut Tape.
- DMP4013LFG-7
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- FDS6679AZ
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 13 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDS5351
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN4A06GTA
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN7A11GTA
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 70 В, ток стока: Iс = 2,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- NTF2955T1G
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- SI3437DV-T1-E3
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 3,2 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- AON6407
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 32 А (Ta), 85 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 7,3 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- NTD20N03L27T4G
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 20 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,75 Вт (Ta), 74 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- RJP020N06T100
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: MPT3, упаковка: Cut Tape.
- SI9407BDY-T1-GE3
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SUD09P10-195-GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 8,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 32,1 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- AOD482
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 5 А (Ta), 32 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 100 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- DMP4015SK3-13
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед