- SI9433BDY-T1-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,3 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRFL9014TRPBF
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 1,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 3,1 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- SI9435BDY-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,3 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- ZVP4525GTA
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 265 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- AO4485
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,7 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN6A11GTA
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- PSMN5R8-40YS,115
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 89 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- DMP6023LE-13
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Ta), 18,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- FDS6680A
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- AOD4130
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,5 А (Ta), 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- PSMN075-100MSEX
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 18 А (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 65 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- TN2404K-T1-E3
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 240 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- IRFR110TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FQD5P20TM
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 3,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 45 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- PSMN018-80YS,115
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 45 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 89 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- IRFM120ATF
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 2,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- NDT3055L
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- FQT1N60CTF_WS
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP6A17GTA
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN6A08E6TA
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,1 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: SOT-26, упаковка: Cut Tape.
- SI3410DV-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 4,1 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- SI7619DN-T1-GE3
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 24 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 27,8 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN6A11ZTA
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-89-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP4015SPS-13
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,3 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- FDS6675BZ
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед