- NTF3055L108T1G
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,3 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP3A17E6TA
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: SOT-23-6, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP10A17E6TA
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 1,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,1 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-26, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN10A08GTA
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- AOD4185
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 62,5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- NTTFS5820NLTAG
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), 37 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,7 Вт (Ta), 33 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- AO4421
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- FDMA520PZ
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- IRFL9110TRPBF
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 1,1 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 3,1 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- IRLL014TRPBF
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 3,1 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- SI4420BDY-T1-E3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI4410BDY-T1-E3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 7,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI3473CDV-T1-GE3
MOSFET транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 4,2 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- FQD10N20CTM
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- BUK7275-100A,118
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 21,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 89 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- NDT3055
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- LND150K1-G
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 13 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- ZVP3306FTA
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 90 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 330 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- PSMN069-100YS,115
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 56 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- STQ1NK80ZR-AP
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 300 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-92-3, упаковка: Cut Tape.
- FDD5614P
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- SI7615ADN-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SI2319DS-T1-E3
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 750 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SI5471DC-T1-GE3
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 6,3 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: 1206-8 ChipFET™, упаковка: Cut Tape.
- SI2323CDS-T1-GE3
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Ta), 2,5 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед