- ZVN3306FTA
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 150 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 330 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- SI3459BDV-T1-GE3
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 3,3 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- STT7P2UH7
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: SOT-23-6, упаковка: Cut Tape.
- CMUDM7004 TR
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 450 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
- NTF5P03T3G
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,56 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- AON7508
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 26 А (Ta), 32 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 62,5 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: 8-DFN (3x3), упаковка: Cut Tape.
- NTD2955T4G
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 55 Вт (Tj), монтаж на поверхность, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FQT3P20TF
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 670 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- SI8499DB-T2-E1
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,77 Вт (Ta), 13 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: 6-Micro Foot™, упаковка: Cut Tape.
- SI4128DY-T1-GE3
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10,9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI5415AEDU-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 31 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: PowerPAK® ChipFet Single, упаковка: Cut Tape.
- SIA436DJ-T1-GE3
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 8 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,5 Вт (Ta), 19 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- FDS4435BZ
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- DMP3010LK3-13
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,7 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- NTD5865NLT4G
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 46 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 71 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- IRLL110TRPBF
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 3,1 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- SI4435DDY-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 11,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- FDT434P
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- PSMN039-100YS,115
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 28,1 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 74 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN6A07ZTA
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-89-3, упаковка: Cut Tape.
- ZVN4106FTA
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- BS170FTA
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 150 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 330 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- FQT13N06LTF
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y53-100B,115
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 23 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 75 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FQD1N60CTM
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 1 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 28 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед