- SI2323DS-T1-E3
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 750 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y29-40E,115
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 25 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 37 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- FQT7N10LTF
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- SI5419DU-T1-GE3
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 31 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9), упаковка: Cut Tape.
- SI2343CDS-T1-GE3
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), 2,5 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- ZXMP6A13FQTA
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 900 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 625 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- AOD444
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 20 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SI2316BDS-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), 1,66 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- AO4435
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- FDN359AN
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- AO4441
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- NDT2955
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 2,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: SOT-223-4, упаковка: Cut Tape.
- 2N7002E-T1-E3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 240 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- STN1NF20
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 1 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- SSM6J505NU,LF
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: 6-UDFNB (2x2), упаковка: Cut Tape.
- FDMA410NZ
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 9,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- SIS413DN-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y21-40E,115
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 33 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 45 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- AOD4184A
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13 А (Ta), 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,3 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- AON6236
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 19 А (Ta), 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,2 Вт (Ta), 39 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- FDZ191P
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,9 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: 6-WLCSP, упаковка: Cut Tape.
- BUK9277-55A,118
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 51 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SQ2389ES-T1_GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 4,1 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- ZVN3310FTA
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 330 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- SI2333DS-T1-E3
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 4,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 750 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед