- FDN5618P
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 1,25 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- FDY300NZ
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 600 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 625 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SC-89-3, упаковка: Cut Tape.
- AOD4189
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 62,5 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SI2318DS-T1-E3
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 750 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- VN10LFTA
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 150 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 330 мВт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- AO4484
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,7 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- DMP4047LFDE-7
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: U-DFN2020-6 (Type E), упаковка: Cut Tape.
- SI2338DS-T1-GE3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,3 Вт (Ta), 2,5 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- MTM231232LBF
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: SC-70-3 (SOT323), упаковка: Cut Tape.
- SI1469DH-T1-E3
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), 2,78 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: SC-70-6 (SOT-363), упаковка: Cut Tape.
- ZVP1320FTA
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 35 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- ZXMP6A13FTA
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 900 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 625 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN6068LK3-13
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,12 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: TO-252-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN24H3D5L-7
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 240 В, ток стока (непрерывный): Iс = 480 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 760 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- SI2309CDS-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), 1,7 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SQ2308CES-T1_GE3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 2,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: SOT-23 (TO-236AB), упаковка: Cut Tape.
- STT4P3LLH6
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: SOT-23-6, упаковка: Cut Tape.
- ZXM61P03FTA
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 625 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- PMV213SN,215
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 280 мВт (Tj), SMT-монтаж, заводской корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- ZXMP6A17E6TA
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,1 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-26, упаковка: Cut Tape.
- DMP2008UFG-7
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Ta), 54 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), 41 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN10A08E6TA
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-26, упаковка: Cut Tape.
- AON7296
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Ta), 12,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 20,8 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: 8-DFN (3x3), упаковка: Cut Tape.
- DMN6068SE-13
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- AON7401
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 29 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-DFN (3x3), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед