Полевые транзисторы | МОП-транзисторы | FET, MOSFET | Каталог

В нашем каталоге представлен широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов (MOSFET) ведущих мировых производителей дискретных полупроводников. У нас можно купить униполярные транзисторы с n-каналом или p-каналом, напряжение сток-исток (U_СИ) в диапазоне от 6 В до 4,5 кВ, ток стока (I_С) от 5 мА до 860 А, сопротивление в открытом состоянии (R_{СИ откр.}) от 0,4 мОм до 1 кОм, рассеиваимая мощность (P_макс.) от 80 мВт до 5 кВт.

IRLML6344TRPBF

МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 5 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1,3 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

BSS139H6327XTSA1

МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 250 В, ток стока (непрерывный): I_с = 100 мА (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 360 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.

IRLML0100TRPBF

MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 1,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1,3 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

IRF8707TRPBF

Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 11 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,5 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRLL014NTRPBF

MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока: I_с = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 1 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.

IRF8736TRPBF

Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 18 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 2,5 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRLL024NTRPBF

Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 3,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1 Вт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: SOT-223, упаковка: Cut Tape.

IRFR120NTRPBF

МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 9,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 48 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

IRLR024NTRPBF

MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 17 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 45 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

IRLL2705TRPBF

МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока: I_с = 3,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: SOT-223, упаковка: Cut Tape.

IRFR024NTRPBF

Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 45 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

BSP295H6327XTSA1

MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока: I_с = 1,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 1,8 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.

BSC100N06LS3GATMA1

Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока (непрерывный): I_с = 12 А (Ta), 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.

IRF7465TRPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 150 В, ток стока (непрерывный): I_с = 1,9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRLR120NTRPBF

Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 10 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 48 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

IRFR5305TRPBF

Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока: I_с = 31 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 110 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

IRLR3410TRPBF

Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока (непрерывный): I_с = 17 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 79 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

IPD30N06S2L23ATMA3

МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока: I_с = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 100 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: PG-TO252-3-11, упаковка: Cut Tape.

IRLR2905TRPBF

Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 42 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 110 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

BSP149H6327XTSA1

МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока (непрерывный): I_с = 660 мА (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1,8 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.

IRFR5410TRPBF

Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 13 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 66 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

IRF7832TRPBF

МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 20 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 2,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

IRFR1205TRPBF

MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока (непрерывный): I_с = 44 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 107 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

IPD122N10N3GATMA1

Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 59 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 94 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.

BSC022N04LSATMA1

Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 40 В, ток стока (непрерывный): I_с = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 2,5 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.

Назад Вперед

Drain to Source Voltage -- напряжение сток-исток

Drive Voltage -- управляющее напряжение

Power Dissipation -- рассеиваемая мощность

Gate−to−Source Voltage − Continuous -- напряжение затвор-исток (непрерывное)

Drain Current -- ток стока

Полевые транзисторы (FET, MOSFET)