- DMN2005LP4K-7
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 400 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус: X2-DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- SSM3J338R,LF
MOSFET транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SOT-23F, упаковка: Cut Tape.
- BSS138TA
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- AO3420
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
- SI2304BDS-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 750 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- DMP3098L-7
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,08 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- BSH203,215
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 470 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 417 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- BSH105,215
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,05 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 417 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- DMG6968U-7
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,3 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- PMV30UN2R
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 490 мВт (Ta), 5 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- DMN3023L-7
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 900 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- NTJS4151PT1G
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363, упаковка: Cut Tape.
- SI1032R-T1-GE3
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 140 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 250 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SC-75A, упаковка: Cut Tape.
- MTM232270LBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: SMini3-G1-B, упаковка: Cut Tape.
- DMN1019USN-13
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока: Iс = 9,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 680 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: SC-59, упаковка: Cut Tape.
- NDS332P
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP2104LP-7
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: 3-DFN1411 (1.4x1.1), упаковка: Cut Tape.
- FDV305N
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 900 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- DMP3056L-7
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,38 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- SI2356DS-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 960 мВт (Ta), 1,7 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: TO-236, упаковка: Cut Tape.
- ZXMN2F30FHTA
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 960 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP3130L-7
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP2123L-7
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- FDC638P
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- NDS355AN
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед