- PMV48XP,215
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 510 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- AO3404A
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
- SI2365EDS-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), 1,7 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: TO-236, упаковка: Cut Tape.
- SSM3J328R,LF
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-23F, упаковка: Cut Tape.
- SI2302CDS-T1-E3
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 710 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- AO3415
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
- AO3415A
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
- SSM3J356R,LF
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-23F, упаковка: Cut Tape.
- NTK3134NT1G
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 750 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 310 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: SOT-723, упаковка: Cut Tape.
- NTA4153NT1G
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 915 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 мВт (Tj), SMT-монтаж, корпус: SC-75, SOT-416, упаковка: Cut Tape.
- DMP2035U-7
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 810 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- AO3416
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
- BSS127S-7
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 610 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- DMG3415U-7
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 900 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- SI2347DS-T1-GE3
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,7 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP4065S-7
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 720 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- NTR4501NT1G
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Tj), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SSM3K329R,LF
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: SOT-23F, упаковка: Cut Tape.
- SI2301BDS-T1-E3
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- AO3442
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
- DMG2302U-7
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 800 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- AO7400
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: SC-70-3, упаковка: Cut Tape.
- TP0610K-T1-E3
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 185 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- BSH103,215
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 850 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 540 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- BSH103,235
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 850 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 540 мВт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед