- SI1012R-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 500 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: SC-75A, упаковка: Cut Tape.
- SI1013R-T1-GE3
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 350 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 150 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SC-75A, упаковка: Cut Tape.
- SI1012X-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 500 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 250 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SC-89-3, упаковка: Cut Tape.
- FDN360P
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- AO7401
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 1,4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SC-70-3, упаковка: Cut Tape.
- ZXM61P02FTA
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 900 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 625 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN2300U-7
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,24 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 430 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- SI2305CDS-T1-GE3
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 8 В, ток стока: Iс = 5,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 960 мВт (Ta), 1,7 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- DMN5L06TK-7
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 280 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
- NDS352AP
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 900 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- PMV65XP,215
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 480 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- SI1013X-T1-GE3
MOSFET транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 350 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: SC-89-3, упаковка: Cut Tape.
- SSM3K123TU,LF
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: UFM, упаковка: Cut Tape.
- AO6404
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- MGSF1N02LT1G
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 750 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 400 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SI2307CDS-T1-GE3
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,1 Вт (Ta), 1,8 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- FDN357N
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- SI2300DS-T1-GE3
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,1 Вт (Ta), 1,7 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SI1021R-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 190 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: SC-75A, упаковка: Cut Tape.
- SI1401EDH-T1-GE3
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), 2,8 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: SC-70-6 (SOT-363), упаковка: Cut Tape.
- DMN32D2LFB4-7
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: X2-DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP3056LDM-7
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: SOT-26, упаковка: Cut Tape.
- DMN2050L-7
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,9 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP1022UFDE-7
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 660 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: U-DFN2020-6 (Type E), упаковка: Cut Tape.
- SI2369DS-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), 2,5 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: TO-236, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед