- AO3414
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
- DMN3404L-7
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 5,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 720 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS84W-7-F
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 130 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- DMN2075U-7
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 800 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS138W-7-F
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 200 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- AO3403
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
- DMP21D0UFB4-7B
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 770 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 430 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: X2-DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- NTA7002NT1G
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 154 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 мВт (Tj), монтаж SMD, корпус изделия: SC-75, SOT-416, упаковка: Cut Tape.
- NDS7002A
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 280 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SOT-23 (TO-236AB), упаковка: Cut Tape.
- 2N7002BKM,315
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 450 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- 2N7002W
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 115 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 мВт (Ta), поверхностный монтаж, тип корпуса: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- NTR4101PT1G
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 1,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 420 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- DMN5L06K-7
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN601K-7
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 300 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN2004K-7
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 630 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- AO3419
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
- BSS123W-7-F
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 170 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 200 мВт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- AO3401A
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
- AO3400A
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
- AO3418
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
- DMG2307L-7
МДП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 2,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 760 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- SI2301CDS-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,1 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 860 мВт (Ta), 1,6 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SI2301CDS-T1-E3
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,1 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 860 мВт (Ta), 1,6 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- DMP2160UW-7
МОП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- AO3407A
MOSFET транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SOT-23-3L, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед