- 2N7002BK,215
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 350 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 370 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- DMG1012T-7
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 630 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 280 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
- PMZ290UNE2YL
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), 5,43 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- FDV303N
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 680 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- BSS138PW,115
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 320 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 260 мВт (Ta), 830 мВт (Tc), SMD-монтаж, корпус: SOT-323-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS138-7-F
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 мВт (Ta), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN55D0UT-7
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 160 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
- DMG1013UW-7
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 820 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 310 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- DMG1012UW-7
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 290 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- DMN2300UFB4-7B
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: X2-DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- DMP3099L-7
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,08 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- NTS4001NT1G
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 270 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 330 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SC-70-3 (SOT323), упаковка: Cut Tape.
- BSN20-7
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 500 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 600 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- FDV304P
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 460 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), поверхностный монтаж, заводской корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- BSS84LT1G
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 130 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 225 мВт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- SSM3K36MFV,L3F
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 500 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: VESM, упаковка: Cut Tape.
- 2N7002W-7-F
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 115 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 200 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: SOT-323, упаковка: Cut Tape.
- DMG2305UX-7
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,4 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- BSS84AKW,115
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 150 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 260 мВт (Ta), 830 мВт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-323-3, упаковка: Cut Tape.
- RYM002N05T2CL
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 150 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: VMT3, упаковка: Cut Tape.
- NDS0610
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 120 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- DMG3420U-7
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,47 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 740 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- MMBF170
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 500 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 мВт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- 2N7000TA
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 400 мВт (Ta), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-92-3, упаковка: Cut Tape.
- 2N7002T-7-F
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 115 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 150 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед