- STD10NM65N
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 9 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 90 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- STD2NK100Z
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 1000 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,85 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 70 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- STD4NK100Z
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 1000 В, ток стока: Iс = 2,2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 90 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STB200NF04T4
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 310 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB12NM50ND
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 100 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB270N4F3
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 160 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 330 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB37N60DM2AG
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 28 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 210 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STH180N10F3-2
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 315 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- STB46N30M5
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 300 В, ток стока: Iс = 53 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STH3N150-2
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 1500 В, ток стока: Iс = 2,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 140 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: H²PAK, упаковка: Cut Tape.
- STB43N65M5
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 42 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 250 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STL57N65M5
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,3 А (Ta), 22,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 189 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PowerFlat™ (8x8) HV, упаковка: Cut Tape.
- 2N7002P,215
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 360 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- 2N7002-7-F
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 115 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 370 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- DMN65D8L-7
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 310 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 370 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- RZM001P02T2L
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: VMT3, упаковка: Cut Tape.
- 2N7002K-T1-GE3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус: TO-236, упаковка: Cut Tape.
- 2N7002,215
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 830 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- BSS84-7-F
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 130 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 300 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS138LT1G
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 225 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: SOT-23-3 (TO-236), упаковка: Cut Tape.
- BSS123-7-F
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 170 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- BSS84
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 130 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: SOT-23-3, упаковка: Cut Tape.
- RV1C002UNT2CL
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 150 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: VML0806, упаковка: Cut Tape.
- RUM001L02T2CL
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: VMT3, упаковка: Cut Tape.
- DMG2305UX-13
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,4 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед