- APTM20DAM05G
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 317 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1136 Вт (Tc), монтаж на корпус, заводской корпус: SP6, упаковка: Bulk.
- APT50MC120JCU2
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 1200 В, ток стока: Iс = 71 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), монтаж на корпус, заводской корпус: SOT-227, упаковка: Bulk.
- APTM120U10SAG
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 1200 В, ток стока: Iс = 116 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3290 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус детали: SP6, упаковка: Bulk.
- APTM50UM09FAG
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 497 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5000 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус детали: SP6, упаковка: Bulk.
- APTM120U10SCAVG
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 1200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 116 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3290 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус: SP6, упаковка: Bulk.
- APTM100UM45FAG
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 1000 В, ток стока: Iс = 215 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5000 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус: SP6, упаковка: Bulk.
- IPD60R600E6ATMA1
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 7,3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 63 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: TO-252, упаковка: Bulk.
- IRFP4410ZPBF
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 97 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 230 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-247AC, упаковка: Bulk.
- IRFPS3815PBF
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 105 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 441 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: SUPER-247 (TO-274AA), упаковка: Bulk.
- IRF730AL
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока: Iс = 5,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 74 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: I2PAK, упаковка: Bulk.
- 2SK3483-AZ
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 28 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-251 (MP-3), упаковка: Bulk.
- NP60N055MUK-S18-AY
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,8 Вт (Ta), 105 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220, упаковка: Bulk.
- APT38N60SC6
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 38 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 278 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D3Pak, упаковка: Bulk.
- APT12067B2LLG
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 1200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 565 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: T-MAX™ [B2], упаковка: Bulk.
- APT12067JLL
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 1200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 460 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус детали: SOT-227, упаковка: Bulk.
- APT12057JLL
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 1200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 520 Вт (Tc), монтаж на корпус, тип корпуса: SOT-227, упаковка: Bulk.
- APT18M80S
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 19 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 500 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D3Pak, упаковка: Bulk.
- STN3NF06L
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,3 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- STD2HNK60Z
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- STS5PF30L
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- STB16NF06LT4
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 45 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STD2N95K5
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 950 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 45 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STD70N10F4
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- STS7NF60L
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 7,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- STD10P6F6
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 35 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед