- HCT7000M
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 300 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус изделия: 3-SMD, упаковка: Bulk.
- IXFK44N55Q
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 550 В, ток стока: Iс = 44 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-264AA (IXFK), упаковка: Bulk.
- VS-FA40SA50LC
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 543 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус изделия: SOT-227, упаковка: Bulk.
- APT58M50JU3
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 58 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 543 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус: SOT-227, упаковка: Bulk.
- IXFE50N50
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 47 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 500 Вт (Tc), монтаж на корпус, тип корпуса: SOT-227B, упаковка: Bulk.
- APT10M11JVRU2
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 142 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 450 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус: SOT-227, упаковка: Bulk.
- APT20M22JVRU2
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 97 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 450 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус изделия: SOT-227, упаковка: Bulk.
- APT20M22JVRU3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 97 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 450 Вт (Tc), монтаж на корпус, тип корпуса: SOT-227, упаковка: Bulk.
- VS-FC80NA20
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 108 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 405 Вт (Tc), тип корпуса: SOT-227, упаковка: Bulk.
- VS-FA72SA50LC
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 72 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1136 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус изделия: SOT-227, упаковка: Bulk.
- HCT7000MTX
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 300 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: 3-SMD, упаковка: Bulk.
- APT50M75JLLU2
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 51 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 290 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус изделия: SOT-227, упаковка: Bulk.
- APT58M50JCU2
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 58 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 543 Вт (Tc), монтаж на корпус, тип корпуса: SOT-227, упаковка: Bulk.
- APT50N60JCCU2
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 290 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус изделия: SOT-227, упаковка: Bulk.
- HCT7000MTXV
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 300 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: 3-SMD, упаковка: Bulk.
- APT12057B2LLG
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 1200 В, ток стока: Iс = 22 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 690 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: T-MAX™ [B2], упаковка: Bulk.
- APT26M100JCU2
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 1000 В, ток стока (непрерывный): Iс = 26 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 543 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус изделия: SOT-227, упаковка: Bulk.
- APT26M100JCU3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 1000 В, ток стока (непрерывный): Iс = 26 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 543 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус детали: SOT-227, упаковка: Bulk.
- APT20M120JCU2
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 1200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 543 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус: SOT-227, упаковка: Bulk.
- APT20M120JCU3
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 1200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 543 Вт (Tc), монтаж на корпус, заводской корпус: SOT-227, упаковка: Bulk.
- VS-FC220SA20
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 220 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 789 Вт (Tc), монтаж на корпус, тип корпуса: SOT-227, упаковка: Bulk.
- APT33N90JCCU2
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 900 В, ток стока: Iс = 33 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 290 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус изделия: SOT-227, упаковка: Bulk.
- APT5010JVRU3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 44 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 450 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус: SOT-227, упаковка: Bulk.
- APTM120DA30CT1G
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 1200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 31 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 657 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус детали: SP1, упаковка: Bulk.
- APTC60DAM18CTG
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 143 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 833 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус детали: SP4, упаковка: Bulk.
Назад
Вперед