- SIHF16N50C-E3
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 38 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220 Full Pack, упаковка: Bulk.
- FKP250A
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 85 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-3P, упаковка: Bulk.
- FKP330C
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 330 В, ток стока: Iс = 30 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 85 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-3P, упаковка: Bulk.
- APT7M120S
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 1200 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 335 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D3Pak, упаковка: Bulk.
- APT14M100S
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 1000 В, ток стока: Iс = 14 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 500 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: D3Pak, упаковка: Bulk.
- IXFK120N20P
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 714 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-264AA (IXFK), упаковка: Bulk.
- IXFK170N10P
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 170 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 715 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-264AA (IXFK), упаковка: Bulk.
- IXFK200N10P
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 830 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-264AA (IXFK), упаковка: Bulk.
- IXFK102N30P
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 300 В, ток стока (непрерывный): Iс = 102 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-264AA (IXFK), упаковка: Bulk.
- APT24M80S
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 625 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D3Pak, упаковка: Bulk.
- IXTT88N15
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 88 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 400 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: TO-268, упаковка: Bulk.
- IXFK88N30P
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 300 В, ток стока (непрерывный): Iс = 88 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 600 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-264AA (IXFK), упаковка: Bulk.
- IXFK180N15P
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 180 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 830 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-264AA (IXFK), упаковка: Bulk.
- IXFT9N80Q
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 180 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: TO-268, упаковка: Bulk.
- IXFT23N60Q
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 23 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 400 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: TO-268, упаковка: Bulk.
- APT77N60SC6
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 77 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 481 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D3Pak, упаковка: Bulk.
- IXFT30N60Q
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: TO-268, упаковка: Bulk.
- IXFR4N100Q
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 1000 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 80 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: ISOPLUS247™, упаковка: Bulk.
- IXTT10P50
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 10 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: TO-268, упаковка: Bulk.
- IXFX12N90Q
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 900 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: PLUS247™-3, упаковка: Bulk.
- IXFT40N50Q
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 500 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: TO-268, упаковка: Bulk.
- APT60N60SCSG
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 431 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: D3Pak, упаковка: Bulk.
- IXFT23N80Q
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 23 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: TO-268, упаковка: Bulk.
- APT40N60JCU3
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 290 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус детали: SOT-227, упаковка: Bulk.
- IXFX44N55Q
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 550 В, ток стока (непрерывный): Iс = 44 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 500 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: PLUS247™-3, упаковка: Bulk.
Назад
Вперед