- SFT1342-W
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 12 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), 15 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TP, упаковка: Bulk.
- SIHF6N40D-E3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока: Iс = 6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 30 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-220 Full Pack, упаковка: Bulk.
- TK2Q60D(Q)
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: PW-MOLD2, упаковка: Bulk.
- SIHU7N60E-GE3
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 78 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: I-Pak, упаковка: Bulk.
- RCX120N20
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,23 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- 2SK2803
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 450 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 30 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220F, упаковка: Bulk.
- 2SK3199
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 30 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220F, упаковка: Bulk.
- 2SK2848
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 30 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220F, упаковка: Bulk.
- FKV550N
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 50 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 35 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-220F, упаковка: Bulk.
- 2SK3484-AZ
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), 30 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-251 (MP-3), упаковка: Bulk.
- SIHF12N65E-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 33 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-220 Full Pack, упаковка: Bulk.
- 2SK3003
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 35 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-220F, упаковка: Bulk.
- 2SK3710
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 85 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: TO-220S, упаковка: Bulk.
- FKV550T
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 50 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 35 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-220F, упаковка: Bulk.
- FKP252
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 25 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 40 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-220F, упаковка: Bulk.
- 2SK3004
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 18 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 35 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-220F, упаковка: Bulk.
- 2SK2701A
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 450 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 35 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220F, упаковка: Bulk.
- 2SK2943
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 900 В, ток стока: Iс = 3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 30 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220F, упаковка: Bulk.
- IRF840LPBF
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 125 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: TO-263AB, упаковка: Bulk.
- 2SK2420
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 40 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220F, упаковка: Bulk.
- 2SK3482-AZ
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 36 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-251 (MP-3), упаковка: Bulk.
- 2SK3480-AZ
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Ta), 84 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Bulk.
- IXTP1N80
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 750 мА (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 40 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Bulk.
- IXTY1N80
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 750 мА (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 40 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: TO-252AA, упаковка: Bulk.
- IXTA2N80
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 54 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: TO-263 (IXTA), упаковка: Bulk.
Назад
Вперед