Полевые транзисторы | МОП-транзисторы | FET, MOSFET | Каталог

В нашем каталоге представлен широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов (MOSFET) ведущих мировых производителей дискретных полупроводников. У нас можно купить униполярные транзисторы с n-каналом или p-каналом, напряжение сток-исток (U_СИ) в диапазоне от 6 В до 4,5 кВ, ток стока (I_С) от 5 мА до 860 А, сопротивление в открытом состоянии (R_{СИ откр.}) от 0,4 мОм до 1 кОм, рассеиваимая мощность (P_макс.) от 80 мВт до 5 кВт.

IRFP054NPBF

Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 55 В, ток стока: I_с = 81 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 170 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-247AC, упаковка: Bulk.

IRFP3306PBF

Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока: I_с = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 220 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-247AC, упаковка: Bulk.

IRFP4710PBF

Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 100 В, ток стока: I_с = 72 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 190 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-247AC, упаковка: Bulk.

STN1NK60Z

МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока (непрерывный): I_с = 300 мА (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 3,3 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.

STN1HNK60

MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока (непрерывный): I_с = 400 мА (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 3,3 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: SOT-223, упаковка: Cut Tape.

STN4NF03L

Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 6,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 3,3 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: SOT-223, упаковка: Cut Tape.

STD4NK80ZT4

MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока: I_с = 3 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 80 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

STS7PF30L

Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 7 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 2,5 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.

STD3NK100Z

Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 1000 В, ток стока: I_с = 2,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 90 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.

PMV40UN2R

МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 3,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 490 мВт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.

PMV45EN2R

Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 4,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 510 мВт (Ta), 5 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.

STN4NF20L

Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 200 В, ток стока: I_с = 1 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 3,3 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.

STD1NK60T4

Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 600 В, ток стока (непрерывный): I_с = 1 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 30 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

STN1NK80Z

Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока: I_с = 250 мА (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 2,5 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: SOT-223, упаковка: Cut Tape.

STD3NK80ZT4

Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 800 В, ток стока (непрерывный): I_с = 2,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: P_D = 70 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.

STB60NF06T4

Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока: I_с = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: P_D = 110 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.

BSS83PH6327XTSA1

Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока (непрерывный): I_с = 330 мА (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 360 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.

IRLML6402TRPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: U_{си max} = 20 В, ток стока: I_с = 3,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 1,3 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

IRLML2803TRPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока (непрерывный): I_с = 1,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 540 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

IRLML2402TRPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 20 В, ток стока (непрерывный): I_с = 1,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 540 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

IRLML0060TRPBF

МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока (непрерывный): I_с = 2,7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 1,25 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

IRLML6401TRPBF

МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 12 В, ток стока: I_с = 4,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 1,3 Вт (Ta), SMD-монтаж, тип корпуса: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

IRLML6302TRPBF

Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: U_{си max} = 20 В, ток стока (непрерывный): I_с = 780 мА (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 540 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

IRLML5103TRPBF

MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 30 В, ток стока: I_с = 760 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: P_D = 540 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус изделия: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

IRLML2060TRPBF

Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: U_{си max} = 60 В, ток стока (непрерывный): I_с = 1,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: P_D = 1,25 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус: Micro3™/SOT-23, упаковка: Cut Tape.

Назад Вперед

Drain to Source Voltage -- напряжение сток-исток

Drive Voltage -- управляющее напряжение

Power Dissipation -- рассеиваемая мощность

Gate−to−Source Voltage − Continuous -- напряжение затвор-исток (непрерывное)

Drain Current -- ток стока

Полевые транзисторы (FET, MOSFET)