- SUP70090E-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Bulk.
- APT5010JLLU3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 41 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 378 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус детали: SOT-227, упаковка: Bulk.
- IXTH110N10L2
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 110 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 600 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-247 (IXTH), упаковка: Bulk.
- APTML100U60R020T1AG
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 1000 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 520 Вт (Tc), монтаж на корпус, заводской корпус: SP1, упаковка: Bulk.
- APTM20SKM04G
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 372 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1250 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус детали: SP6, упаковка: Bulk.
- APT5010JVRU2
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 44 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 450 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус детали: SOT-227, упаковка: Bulk.
- IXFN90N85X
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 850 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1200 Вт (Tc), монтаж на корпус, заводской корпус: SOT-227B, упаковка: Bulk.
- ZVN0545A
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 450 В, ток стока: Iс = 90 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- APTM100UM65SAG
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 1000 В, ток стока: Iс = 145 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3250 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус изделия: SP6, упаковка: Bulk.
- R8008ANX
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- SIHB33N60EF-GE3
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 33 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 278 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: D²PAK (TO-263), упаковка: Bulk.
- SIHB12N50E-GE3
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 114 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D²PAK (TO-263), упаковка: Bulk.
- SIHB15N50E-GE3
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 156 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: D²PAK (TO-263), упаковка: Bulk.
- APT40N60JCU2
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 290 Вт (Tc), монтаж на корпус, заводской корпус: SOT-227, упаковка: Bulk.
- SUD70090E-GE3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: TO-252, упаковка: Bulk.
- SUM70090E-GE3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: TO-263 (D2Pak), упаковка: Bulk.
- SUP70040E-GE3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 375 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-220AB, упаковка: Bulk.
- IPI020N06NAKSA1
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 29 А (Ta), 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 214 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: PG-TO262-3, упаковка: Bulk.
- 2N7002 BK
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 115 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-23, упаковка: Bulk.
- CMPDM7002AG BK
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 280 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 350 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-23, упаковка: Bulk.
- CEDM7001 BK
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 мВт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-883, упаковка: Bulk.
- CEDM8001 BK
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 100 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SOT-883, упаковка: Bulk.
- CEDM7004 BK
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,78 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус детали: SOT-883, упаковка: Bulk.
- CEDM8004 BK
МОП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 450 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-883, упаковка: Bulk.
- NTD4970N-35G
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8,5 А (Ta), 36 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,38 Вт (Ta), 24,6 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: I-Pak, упаковка: Bulk.
Назад
Вперед