- R6007ENX
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 40 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- RCX220N25
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 22 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,23 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- SIHB12N60E-GE3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 147 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Bulk.
- SIHP7N60E-GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 78 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Bulk.
- SUP90N04-3M3P-GE3
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Bulk.
- R8002ANX
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 35 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- R6009ENX
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 40 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- RCX450N20
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 45 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,23 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- RCX511N25
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 51 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,23 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- R8010ANX
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 40 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- R6024ENX
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 24 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 40 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- R6015ENX
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 40 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- R5009FNX
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- RCX700N20
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 70 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,23 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- R6008FNX
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- R6012FNX
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 50 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- APT5010JLLU2
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 41 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 378 Вт (Tc), монтаж на корпус, заводской корпус: SOT-227, упаковка: Bulk.
- APT10M11JVRU3
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 142 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 450 Вт (Tc), монтаж на корпус, заводской корпус: SOT-227, упаковка: Bulk.
- APT58M50JU2
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 58 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 543 Вт (Tc), монтаж на корпус, тип корпуса: SOT-227, упаковка: Bulk.
- APT50M75JLLU3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 51 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 290 Вт (Tc), монтаж на корпус, заводской корпус: SOT-227, упаковка: Bulk.
- APTC60SKM24T1G
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 95 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 462 Вт (Tc), монтаж на корпус, заводской корпус: SP1, упаковка: Bulk.
- APTM20UM03FAG
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 580 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2270 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус детали: SP6, упаковка: Bulk.
- APTM100UM45DAG
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 1000 В, ток стока: Iс = 215 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5000 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус: SP6, упаковка: Bulk.
- SUP70060E-GE3
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 131 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Bulk.
- TK72A08N1,S4X
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 80 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-220SIS, упаковка: Bulk.
Назад
Вперед