- VN2460N3-G
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 160 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VN0808L-G
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 300 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- TN2540N3-G
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока (непрерывный): Iс = 175 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- R6004ENX
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 40 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- TP0620N3-G
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 175 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VN0550N3-G
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- TP2635N3-G
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 350 В, ток стока: Iс = 180 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VN4012L-G
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока (непрерывный): Iс = 160 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VP0550N3-G
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 54 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VN2210N3-G
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 1,2 А (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 740 мВт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- TK8A65D(STA4,Q,M)
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 45 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220SIS, упаковка: Bulk.
- R6020ENX
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- SIHF12N60E-E3
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 33 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-220 Full Pack, упаковка: Bulk.
- SIHP18N50C-E3
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 223 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Bulk.
- R6011ENX
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 40 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- SIHP33N60E-GE3
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 33 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 278 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-220AB, упаковка: Bulk.
- IXFK140N20P
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 140 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 830 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-264AA (IXFK), упаковка: Bulk.
- IXTN30N100L
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 1000 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 800 Вт (Tc), монтаж на корпус, тип корпуса: SOT-227B, упаковка: Bulk.
- RCX051N25
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,23 Вт (Ta), 30 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- RCX080N25
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,23 Вт (Ta), 35 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- RCX200N20
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 20 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,23 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- RCX160N20
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,23 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- TP2540N3-G
Полевой транзистор MOSFET, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока: Iс = 86 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 740 мВт (Ta), монтаж через отверстия, корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- R5007FNX
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 40 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- RCX300N20
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,23 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220FM, упаковка: Bulk.
Назад
Вперед