- SIHF15N60E-GE3
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 15 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 34 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-220 Full Pack, упаковка: Bulk.
- SIHF15N60E-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 15 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 34 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-220 Full Pack, упаковка: Bulk.
- VN0109N3-G
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 90 В, ток стока: Iс = 350 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- 2SK4017(Q)
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 20 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: PW-MOLD2, упаковка: Bulk.
- FKV575
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 40 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220, упаковка: Bulk.
- TK12J60U(F)
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 144 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-3P(N), упаковка: Bulk.
- BS250P
MOSFET транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 45 В, ток стока (непрерывный): Iс = 230 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- APT40SM120J
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 1200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 32 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 165 Вт (Tc), монтаж на корпус, тип корпуса: SOT-227, упаковка: Bulk.
- TN2106N3-G
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 740 мВт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VN0106N3-G
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 350 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- TN0606N3-G
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 500 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- ZVNL120A
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- TP0606N3-G
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 320 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- ZVP2110A
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 230 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- TN0702N3-G
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 530 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- TP0604N3-G
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 430 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 740 мВт (Ta), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VN3205N3-G
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 50 В, ток стока: Iс = 1,2 А (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VP3203N3-G
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 650 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 740 мВт (Ta), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- LP0701N3-G
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 16,5 В, ток стока: Iс = 500 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-92, упаковка: Bulk.
- TN2640N3-G
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока (непрерывный): Iс = 220 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 740 мВт (Ta), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VP2206N3-G
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 640 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 740 мВт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VP0109N3-G
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 90 В, ток стока (непрерывный): Iс = 250 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- TN0110N3-G
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 350 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- RCX081N20
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,23 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- VN2450N3-G
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-92-3, упаковка: Bulk.
Назад
Вперед