- APTM10UM01FAG
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 860 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2500 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус: SP6, упаковка: Bulk.
- APT100MC120JCU2
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 1200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 143 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 600 Вт (Tc), монтаж на корпус, корпус детали: SOT-227, упаковка: Bulk.
- DN2535N3-G
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 350 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-92 (TO-226), упаковка: Bulk.
- ZVN0124A
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 240 В, ток стока: Iс = 160 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- ZVN4210A
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 450 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VN0606L-G
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 330 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- TN0620N3-G
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 250 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- TP2535N3-G
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 350 В, ток стока: Iс = 86 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 740 мВт (Ta), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VN2406L-G
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 240 В, ток стока (непрерывный): Iс = 190 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VN1206L-G
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 120 В, ток стока: Iс = 230 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- TP2640N3-G
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Ta), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VN2224N3-G
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 240 В, ток стока: Iс = 540 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- SIHB15N60E-GE3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 180 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Bulk.
- SIHB20N50E-GE3
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 19 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 179 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D²PAK (TO-263), упаковка: Bulk.
- IRFP3703PBF
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 210 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 230 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-247AC, упаковка: Bulk.
- R5016FNX
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- APT94N65B2C6
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 95 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 833 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: T-MAX™ [B2], упаковка: Bulk.
- IRFP048NPBF
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 64 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 140 Вт (Tc), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-247AC, упаковка: Bulk.
- SIHD7N60E-GE3
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 78 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: D-Pak, упаковка: Bulk.
- R5011FNX
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), 5,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- R6030ENX
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 40 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- R6015FNX
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 15 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 50 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- R6020FNX
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 50 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-220FM, упаковка: Bulk.
- R6046FNZC8
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 46 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 120 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-3PF, упаковка: Bulk.
- SUP60030E-GE3
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 375 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Bulk.
Назад
Вперед