- VP0104N3-G
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 250 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- ZVN4206A
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 600 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- ZVN4206AV
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 600 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- TN0106N3-G
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 350 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Tc), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VP0106N3-G
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 250 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- ZVN3306A
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 270 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 625 мВт (Ta), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- ZVN3310A
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 625 мВт (Ta), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- ZVNL110A
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 320 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- BS170P
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 270 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 625 мВт (Ta), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- ZVP2106A
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 280 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VN2410L-G
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 240 В, ток стока (непрерывный): Iс = 190 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- TN0104N3-G
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 450 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- TN0610N3-G
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 500 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- TN0604N3-G
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 700 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 740 мВт (Ta), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VN0300L-G
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 640 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- ZVP4424A
МДП-транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 240 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 750 мВт (Ta), монтаж через отверстия, корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VP0808L-G
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 280 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VP2450N3-G
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 740 мВт (Ta), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- IRF640PBF
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 125 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-220AB, упаковка: Bulk.
- ZVN4310A
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 900 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 850 мВт (Ta), монтаж в отверстия, корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- ZVN4306A
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 850 мВт (Ta), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- ZVN4306AV
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,1 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 850 мВт (Ta), монтаж через отверстия, корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- ZVP0545A
Полевой транзистор MOSFET с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 450 В, ток стока (непрерывный): Iс = 45 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- SUP50020EL-GE3
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 375 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-220AB, упаковка: Bulk.
- VP2206N2
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 750 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-39, упаковка: Bulk.
Назад
Вперед