- NVGS5120PT1G
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 1,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 600 мВт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y7R6-40EX
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 79 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 94,3 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- DMTH4007LPS-13
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 15,5 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,7 Вт (Ta), 150 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- SIRA24DP-T1-GE3
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 62,5 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SIRC10DP-T1-GE3
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 43 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SQSA80ENW-T1_GE3
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 62,5 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN015-100YLX
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 69 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 195 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SI4463CDY-T1-GE3
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13,6 А (Ta), 49 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,7 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- NVTFS5C478NLWFTAG
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 26 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 20 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- FDMA86251
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 2,4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: 6-MicroFET (2x2), упаковка: Cut Tape.
- NVD5C688NLT4G
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 18 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SI4491EDY-T1-GE3
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17,3 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 6,9 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- NVTFS5C471NLWFTAG
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 41 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 30 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y3R0-40HX
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 172 Вт (Ta), монтаж на поверхность, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- NVD5C684NLT4G
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 38 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 27 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- NVTFS5C466NLTAG
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 51 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 38 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- NVMFS5844NLT1G
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 11,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 107 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- STD9HN65M2
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SIR618DP-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14,2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 48 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- BUK768R1-40E,118
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 96 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- NVTFS5820NLTWG
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,2 Вт (Ta), 21 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- STS6P3LLH6
MOSFET транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2,7 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SQJA02EP-T1_GE3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 68 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SQJA62EP-T1_GE3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 68 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SQJA90EP-T1_GE3
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 68 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед