- BUK7Y65-100EX
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 64 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SI4833BDY-T1-GE3
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,75 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- BUK7277-55A,118
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока: Iс = 18 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 51 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SIAA40DJ-T1-GE3
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 19,2 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- SQJA68EP-T1_GE3
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 45 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SQJA70EP-T1_GE3
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 27 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- DMP10H400SEQ-13
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 2,3 А (Ta), 6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), 13,7 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: SOT-223, упаковка: Cut Tape.
- RQ7E110AJTCR
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 11 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: TSMT8, упаковка: Cut Tape.
- ZVN2110ASTZ
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 320 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), монтаж в отверстия, корпус изделия: E-Line (TO-92 compatible), упаковка: Cut Tape.
- BUK7M17-80EX
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 43 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 79 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- NVTFS5826NLTWG
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,2 Вт (Ta), 22 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- RQ7E055ATTCR
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 5,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,5 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: TSMT8, упаковка: Cut Tape.
- DMT3006LFG-7
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 16 А (Ta), 55,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 27,8 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- DMT6008LFG-13
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13 А (Ta), 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,2 Вт (Ta), 41 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7772DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,9 Вт (Ta), 29,8 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI4712DY-T1-GE3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 5 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y38-100E,115
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 94,9 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- STL51N3LLH5
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 51 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 62,5 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- RS3E135BNGZETB
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 9,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: 8-SOP, упаковка: Cut Tape.
- BUK625R2-30C,118
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 128 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SUD20N10-66L-GE3
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,1 Вт (Ta), 41,7 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: TO-252, упаковка: Cut Tape.
- DMP3017SFGQ-7
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 11,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 940 мВт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- SQJA88EP-T1_GE3
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 48 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN7R5-60YLX
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 86 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 147 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- STL23NS3LLH7
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 92 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,9 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PowerFlat™ (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед