- BUK7Y2R5-40HX
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 190 Вт (Ta), SMD-монтаж, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- NVTFS5C658NLTAG
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 109 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 114 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- NVMFS5C673NLWFAFT1G
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 46 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- SIRC16DP-T1-GE3
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 54,3 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- NVF2955T1G
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,6 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), монтаж на поверхность, заводской корпус: SOT-223 (TO-261), упаковка: Cut Tape.
- SIRA54DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 36,7 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- NVTFS5C658NLWFTAG
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 109 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 114 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- STD6N60M2
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- IPD50N10S3L16ATMA1
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 100 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y2R0-40HX
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 217 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус детали: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- STL110NS3LLH7
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4 Вт (Ta), 75 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- SIR696DP-T1-GE3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 125 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 104 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SIR632DP-T1-RE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 29 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 69,5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- NVTFS5C453NLWFTAG
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 107 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 68 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- IRFR214TRPBF
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 2,2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86105
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), 26 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- SIR616DP-T1-GE3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 20,2 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 52 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN3R4-30BL,118
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 114 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STL6P3LLH6
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,9 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PowerFlat™ (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- DMT10H010LPS-13
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,4 А (Ta), 98 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,2 Вт (Ta), 139 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerDI5060-8, упаковка: Cut Tape.
- SIR606DP-T1-GE3
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 37 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 44,5 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMS36101L_F085
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 38 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 94 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: Power56, упаковка: Cut Tape.
- BUK7Y1R7-40HX
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 294 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PMXB40UNE
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 400 мВт (Ta), 8,33 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: DFN1010D-3, упаковка: Cut Tape.
- TK8P60W5,RVQ
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 80 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед