- SI3429EDV-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Ta), 8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,2 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- SIA469DJ-T1-GE3
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 15,6 Вт (Tc), монтаж на поверхность, упаковка: Cut Tape.
- PMPB47XP,115
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 4 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,7 Вт (Ta), 12,5 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: 6-DFN2020MD (2x2), упаковка: Cut Tape.
- 2N7002E-T1-GE3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 240 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 350 мВт (Ta), SMT-монтаж, упаковка: Cut Tape.
- RQ5E040AJTCL
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- BUK9M85-60EX
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 12,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 31 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- FDMC7696
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,4 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- SI2366DS-T1-GE3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 5,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,25 Вт (Ta), 2,1 Вт (Tc), SMT-монтаж, упаковка: Cut Tape.
- PMXB43UNE
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 400 мВт (Ta), 8,33 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: DFN1010D-3, упаковка: Cut Tape.
- SIA477EDJT-T1-GE3
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 19 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- NDS351N
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,1 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), монтаж SMT, корпус: SuperSOT-3, упаковка: Cut Tape.
- SIRA88DP-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 45,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 25 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SISA34DN-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 20,8 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- SIRA96DP-T1-GE3
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 34,7 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SQA470EJ-T1_GE3
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,25 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 13,6 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- SQA401EJ-T1_GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 3,75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 13,6 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- SI1441EDH-T1-GE3
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: SOT-363, упаковка: Cut Tape.
- SIB457EDK-T1-GE3
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,4 Вт (Ta), 13 Вт (Tc), монтаж SMD, упаковка: Cut Tape.
- BUK7M21-40EX
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 33 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 44 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: LFPAK33, упаковка: Cut Tape.
- PMPB95ENEAX
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 2,8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), 15,6 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: 6-DFN2020MD (2x2), упаковка: Cut Tape.
- RS3E095BNGZETB
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: 8-SOP, упаковка: Cut Tape.
- SI2324DS-T1-GE3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), 2,5 Вт (Tc), поверхностный монтаж, упаковка: Cut Tape.
- SI5448DU-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 25 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 31 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PowerPAK® ChipFet Single, упаковка: Cut Tape.
- DMP6050SFG-7
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,1 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус изделия: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- SIS612EDNT-T1-GE3
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед