- STL140N4F7AG
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 111 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- STL190N4F7AG
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 127 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- STD12N50DM2
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 110 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SIHB6N65E-GE3
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 78 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: D²PAK (TO-263), упаковка: Cut Tape.
- STL100N8F7
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,8 Вт (Ta), 120 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- STH80N10F7-2
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 110 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- IRF634STRRPBF
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 8,1 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,1 Вт (Ta), 74 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STH140N6F7-2
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 158 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- FDB3632_F085
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 310 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- STB35N60DM2
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 28 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 210 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STH410N4F7-2AG
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 200 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 365 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: H2Pak-2, упаковка: Cut Tape.
- STH410N4F7-6AG
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 365 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: H2PAK-6, упаковка: Cut Tape.
- SIHB22N65E-GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока: Iс = 22 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 227 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- DMN67D8L-7
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 210 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 340 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- DMG3406L-13
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 770 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: SOT-23, упаковка: Cut Tape.
- PMZ950UPELYL
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 500 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 мВт (Ta), 2,7 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: DFN1006-3, упаковка: Cut Tape.
- NX3008NBKMB,315
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 530 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), 2,7 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: 3-DFN1006B (0.6x1), упаковка: Cut Tape.
- SI1013CX-T1-GE3
Полевой транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 450 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 190 мВт (Ta), монтаж на поверхность, упаковка: Cut Tape.
- SI1078X-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,02 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 240 мВт (Tc), поверхностный монтаж, упаковка: Cut Tape.
- PMZB370UNE,315
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 900 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 360 мВт (Ta), 2,7 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: 3-DFN1006B (0.6x1), упаковка: Cut Tape.
- SI3493DDV-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,6 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- SI8823EDB-T2-E1
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 900 мВт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8), упаковка: Cut Tape.
- RQ5E025ATTCL
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,5 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: TSMT3, упаковка: Cut Tape.
- SI1424EDH-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,56 Вт (Ta), 2,8 Вт (Tc), SMT-монтаж, упаковка: Cut Tape.
- SI1489EDH-T1-GE3
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 8 В, ток стока: Iс = 2 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: SOT-363, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед