- DMN2005UFG-13
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 18,1 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,05 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- AO4492
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 14 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,1 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: 8-SOIC, упаковка: Cut Tape.
- DMN3008SFG-7
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 900 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус изделия: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- SI1467DH-T1-GE3
МДП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), 2,78 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: SC-70-6 (SOT-363), упаковка: Cut Tape.
- SPD08P06PGBTMA1
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8,83 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 42 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- TN5325K1-G
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока: Iс = 150 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- RS1E300GNTB
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 30 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 33 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: 8-HSOP, упаковка: Cut Tape.
- IPD60R950C6ATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 4,4 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 37 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- STL11N6F7
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 11 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,9 Вт (Ta), 48 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PowerFlat™ (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- VP2110K1-G
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: TO-236AB (SOT23), упаковка: Cut Tape.
- SIS430DN-T1-GE3
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- AON6482
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 5,5 А (Ta), 28 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 63 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- STD36P4LLF6
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 36 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SIR664DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SIR436DP-T1-GE3
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- STD4LN80K5
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 60 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDMS7656AS
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 31 А (Ta), 49 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- SIR164DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5,2 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- STD130N6F7
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 134 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BSZ097N10NS5ATMA1
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 8 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 69 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PG-TSDSON-8-FL, упаковка: Cut Tape.
- SI4430BDY-T1-GE3
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 14 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,6 Вт (Ta), поверхностный монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- STD134N4F7AG
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 134 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STD170N4F7AG
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 172 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STD10N60M2
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 85 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- STD4N90K5
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 900 В, ток стока (непрерывный): Iс = 3 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед