- SFT1345-TL-H
MOSFET транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Ta), 35 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: TP-FA, упаковка: Cut Tape.
- IRF510STRRPBF
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 5,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 43 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: TO-263 (D²Pak), упаковка: Cut Tape.
- FDB7030BL
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 60 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 60 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: TO-263AB, упаковка: Cut Tape.
- SI7623DN-T1-GE3
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF9530NSTRLPBF
MOSFET транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 14 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 79 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRLZ34NSTRLPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 68 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SI4488DY-T1-GE3
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 3,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,56 Вт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IPB037N06N3GATMA1
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 188 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- IRFH7004TRPBF
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 156 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- FDMC8321L
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 22 А (Ta), 49 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 40 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: Power33, упаковка: Cut Tape.
- STL150N3LLH5
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 195 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 114 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PowerFlat™ (6x5), упаковка: Cut Tape.
- BSC030N08NS5ATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 139 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IPD068N10N3GATMA1
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- STB140NF75T4
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 310 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFS38N20DTRLP
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 43 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 300 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- AOB25S65L
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 357 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: TO-263 (D²Pak), упаковка: Cut Tape.
- FDBL0110N60
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 300 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 429 Вт (Tj), монтаж SMD, заводской корпус: 8-PSOF, упаковка: Cut Tape.
- STH270N8F7-6
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 180 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 315 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: H²PAK, упаковка: Cut Tape.
- SUP85N10-10-E3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 85 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,75 Вт (Ta), 250 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-220AB, упаковка: Cut Tape.
- RV2C001ZPT2L
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 100 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: DFN1006-3 (VML1006), упаковка: Cut Tape.
- BSV236SPH6327XTSA1
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 560 мВт (Ta), монтаж SMD, тип корпуса: PG-SOT363-6, упаковка: Cut Tape.
- 2N7002-T1-GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 115 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 200 мВт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: TO-236, упаковка: Cut Tape.
- NTMFS4955NT1G
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9,7 А (Ta), 48 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 920 мВт (Ta), 23,2 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
- SIA425EDJ-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,9 Вт (Ta), 15,6 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® SC-70-6 Single, упаковка: Cut Tape.
- RS1E180BNTB
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 25 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус: 8-HSOP, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед