- AON6360
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 36 А (Ta), 85 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,2 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- FDMC7692
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 13,3 А (Ta), 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,3 Вт (Ta), 29 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: 8-MLP (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- MCP87130T-U/LC
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 25 В, ток стока (непрерывный): Iс = 43 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,7 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус: 8-PDFN (3x3), упаковка: Cut Tape.
- SIS435DNT-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 39 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- DMT6010LFG-7
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13 А (Ta), 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,2 Вт (Ta), 41 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- DMT6008LFG-7
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 13 А (Ta), 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,2 Вт (Ta), 41 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PowerDI3333-8, упаковка: Cut Tape.
- BSZ100N06NSATMA1
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 36 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PG-TSDSON-8-FL, упаковка: Cut Tape.
- IPD50R500CEAUMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 550 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 57 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: PG-TO-252, упаковка: Cut Tape.
- STD18NF03L
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 30 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SI7114ADN-T1-GE3
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 39 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- NTD24N06T4G
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 24 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,36 Вт (Ta), 62,5 Вт (Tj), SMD-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- FDD5810_F085
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,4 А (Ta), 37 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 72 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- BSZ034N04LSATMA1
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19 А (Ta), 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 52 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: PG-TSDSON-8-FL, упаковка: Cut Tape.
- IRLHM620TRPBF
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 26 А (Ta), 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,7 Вт (Ta), 37 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PQFN (3x3), упаковка: Cut Tape.
- FDD86369_F085
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 150 Вт (Tj), SMT-монтаж, корпус изделия: D-PAK (TO-252), упаковка: Cut Tape.
- RQ1E070RPTR
МОП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 550 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: TSMT8, упаковка: Cut Tape.
- IRFR7540TRPBF
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 140 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D-PAK (TO-252AA), упаковка: Cut Tape.
- SI8409DB-T1-E1
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 4,6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,47 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: 4-Microfoot, упаковка: Cut Tape.
- BSC117N08NS5ATMA1
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 49 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 50 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IPZ40N04S5L2R8ATMA1
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 71 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: PG-TSDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSP299H6327XUSA1
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 400 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,8 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус: PG-SOT223-4, упаковка: Cut Tape.
- SIR698DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 7,5 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,7 Вт (Ta), 23 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI4100DY-T1-GE3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 6,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 6 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- BSZ075N08NS5ATMA1
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 69 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PG-TSDSON-8-FL, упаковка: Cut Tape.
- TK7S10N1Z,LQ
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 50 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: DPAK+, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед