- IPB60R099C6ATMA1
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 37,9 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 278 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- IPB020N10N5ATMA1
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 375 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: PG-TO263-3, упаковка: Cut Tape.
- IPT059N15N3ATMA1
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 155 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 375 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус: PG-HSOF-8-1, упаковка: Cut Tape.
- IPT012N08N5ATMA1
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 300 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 375 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PG-HSOF-8-1, упаковка: Cut Tape.
- IPT015N10N5ATMA1
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 300 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 375 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PG-HSOF-8-1, упаковка: Cut Tape.
- IPB65R045C7ATMA1
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 46 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 227 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус изделия: PG-TO263, упаковка: Cut Tape.
- BSS123NH6433XTMA1
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 190 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: PG-SOT23-3, упаковка: Cut Tape.
- RU1C002UNTCL
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 200 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 150 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус: UMT3F, упаковка: Cut Tape.
- RQ6E035ATTCR
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 3,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,25 Вт (Ta), SMT-монтаж, заводской корпус: TSMT6 (SC-95), упаковка: Cut Tape.
- DMN2022UFDF-7
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 7,9 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 660 мВт (Ta), монтаж SMT, тип корпуса: 6-UDFN2020 (2x2), упаковка: Cut Tape.
- RF4E080GNTR
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: HUML2020L8, упаковка: Cut Tape.
- NTGS3446T1G
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 2,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 500 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- DMP2004TK-7
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 430 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 150 мВт (Ta), SMT-монтаж, тип корпуса: SOT-523, упаковка: Cut Tape.
- BSR316PH6327XTSA1
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 360 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 500 мВт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PG-SC-59, упаковка: Cut Tape.
- AON6558
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 25 А (Ta), 28 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 5 Вт (Ta), 24 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: 8-DFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- IRFTS8342TRPBF
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 8,2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), монтаж на поверхность, корпус детали: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- RF4E110GNTR
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: HUML2020L8, упаковка: Cut Tape.
- DMN4020LFDE-7
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 660 мВт (Ta), монтаж SMD, корпус: U-DFN2020-6 (Type E), упаковка: Cut Tape.
- RQ3E150GNTB
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 15 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2 Вт (Ta), 17,2 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 8-HSMT (3.2x3), упаковка: Cut Tape.
- AON2406
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,8 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус: 6-DFN-EP (2x2), упаковка: Cut Tape.
- BSL606SNH6327XTSA1
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 4,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 2 Вт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: PG-TSOP6-6, упаковка: Cut Tape.
- AOD3N50
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока: Iс = 2,8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 57 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- FDC6392S
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 960 мВт (Ta), SMT-монтаж, корпус детали: SuperSOT™-6, упаковка: Cut Tape.
- IPD220N06L3GBTMA1
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 36 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- RSQ020N03TR
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 600 мВт (Ta), SMD-монтаж, корпус детали: TSMT6 (SC-95), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед