- PSMN3R3-80BS,118
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 306 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SQD50P04-13L_GE3
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- SQD50P06-15L_GE3
Полевой транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 136 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- BSC026N08NS5ATMA1
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 23 А (Ta), 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 156 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- BSB056N10NN3GXUMA1
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 9 А (Ta), 83 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,8 Вт (Ta), 78 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: MG-WDSON-2, CanPAK M™, упаковка: Cut Tape.
- BSC035N10NS5ATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 156 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- STL140N6F7
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 145 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,8 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус изделия: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- IRF1407STRLPBF
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 200 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SUD40N10-25-E3
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3 Вт (Ta), 136 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: TO-252, (D-Pak), упаковка: Cut Tape.
- AOB20S60L
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 20 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 266 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: TO-263 (D²Pak), упаковка: Cut Tape.
- SPB80P06PGATMA1
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 340 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: PG-TO263-3-2, упаковка: Cut Tape.
- STL220N6F7
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 260 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,8 Вт (Ta), 187 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: PowerFLAT (6x5), упаковка: Cut Tape.
- STB80NF55-06T4
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 80 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 300 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRFS7434TRL7PP
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 240 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 245 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D2PAK-7, упаковка: Cut Tape.
- IRFS7430TRL7PP
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 240 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 375 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: D2PAK (7-Lead), упаковка: Cut Tape.
- SQM120P06-07L_GE3
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 375 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус детали: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- SUM90N10-8M2P-E3
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 90 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,75 Вт (Ta), 300 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: TO-263 (D2Pak), упаковка: Cut Tape.
- IRF7769L1TRPBF
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 20 А (Ta), 124 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,3 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж на поверхность, заводской корпус: DIRECTFET L8, упаковка: Cut Tape.
- IRF7749L1TRPBF
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 33 А (Ta), 200 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,3 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: DIRECTFET L8, упаковка: Cut Tape.
- STB28N60M2
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока: Iс = 22 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 170 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IRL7472L1TRPBF
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 375 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3,8 Вт (Ta), 341 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: DIRECTFET L8, упаковка: Cut Tape.
- FDBL0150N80
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 300 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 429 Вт (Tj), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-PSOF, упаковка: Cut Tape.
- STB75NF20
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 190 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- IPB027N10N3GATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 120 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TO263-2, упаковка: Cut Tape.
- IPB019N08N3GATMA1
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 180 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 300 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: PG-TO263-7, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед