- 2N6660
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 410 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 6,25 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-39, упаковка: Bulk.
- VN2210N2
МОП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 1,7 А (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 360 мВт (Tc), монтаж через отверстия, корпус: TO-39, упаковка: Bulk.
- IXTN660N04T4
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 660 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 1040 Вт (Tc), монтаж на корпус, тип корпуса: SOT-227B, упаковка: Bulk.
- IXTN200N10L2
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 178 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 830 Вт (Tc), монтаж на корпус, тип корпуса: SOT-227B, упаковка: Bulk.
- VN2106N3-G
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 300 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- 2N7000-G
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 200 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- 2N7000BU
Полевой транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 200 мА (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 400 мВт (Ta), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VN2222LL-G
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 230 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 400 мВт (Ta), 1 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- BS170
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 500 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 830 мВт (Ta), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- BS270
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 400 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 625 мВт (Ta), монтаж в отверстия, корпус детали: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VN10KN3-G
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 310 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус изделия: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- LND150N3-G
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 500 В, ток стока (непрерывный): Iс = 30 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 740 мВт (Ta), монтаж через отверстия, корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VP2106N3-G
Полевой транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 250 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Tc), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- 2N7008-G
МОП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 230 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Tc), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- TN5325N3-G
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 215 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 740 мВт (Ta), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- TP2104N3-G
Полевой транзистор с изолированным затвором с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 175 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 740 мВт (Ta), монтаж в отверстия, корпус изделия: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VN0104N3-G
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 350 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 1 Вт (Tc), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- DN2530N3-G
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 300 В, ток стока (непрерывный): Iс = 175 мА (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 740 мВт (Ta), монтаж через отверстия, корпус детали: TO-92 (TO-226), упаковка: Bulk.
- ZVP3306A
Полевой транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 160 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 625 мВт (Ta), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- VN10LP
МОП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 270 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 625 мВт (Ta), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- DN3545N3-G
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 450 В, ток стока: Iс = 200 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 740 мВт (Ta), монтаж в отверстия, тип корпуса: TO-92 (TO-226), упаковка: Bulk.
- ZVP3310A
Полевой транзистор с изолированным затвором, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 140 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 625 мВт (Ta), монтаж через отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- ZVN2106A
МДП-транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 450 мА (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 700 мВт (Ta), монтаж через отверстия, тип корпуса: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- ZVN2110A
Полевой транзистор MOSFET с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 320 мА (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 700 мВт (Ta), монтаж в отверстия, заводской корпус: TO-92-3, упаковка: Bulk.
- DN2540N3-G
Полевой транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 400 В, ток стока (непрерывный): Iс = 120 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1 Вт (Tc), монтаж в отверстия, корпус: TO-92 (TO-226), упаковка: Bulk.
Назад
Вперед