- ATP302-TL-H
Полевой транзистор MOSFET с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 70 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 70 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: ATPAK, упаковка: Cut Tape.
- BSC028N06NSATMA1
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 23 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 83 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IPD60R380C6ATMA1
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 600 В, ток стока (непрерывный): Iс = 10,6 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 83 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- PSMN0R9-30YLDX
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 349 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SI4490DY-T1-E3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2,85 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,56 Вт (Ta), монтаж SMT, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- IRFH7085TRPBF
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 156 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: PQFN (5x6), упаковка: Cut Tape.
- SI7655DN-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 40 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 4,8 Вт (Ta), 57 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- STD4N80K5
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 800 В, ток стока: Iс = 3 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 60 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SI4413ADY-T1-E3
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 10,5 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 1,5 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI7633DP-T1-GE3
MOSFET транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 20 В, ток стока: Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- SI7456DDP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 27,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Ta), 35,7 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- BUK965R4-40E,118
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 75 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 137 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- TK65S04N1L,LQ
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 65 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 107 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: DPAK+, упаковка: Cut Tape.
- TPH1R005PL,L1Q
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 45 В, ток стока (непрерывный): Iс = 150 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 960 мВт (Ta), 170 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- TP2510N8-G
MOSFET транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 480 мА (Tj), рассеиваемая мощность: PD = 1,6 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: TO-243AA (SOT-89), упаковка: Cut Tape.
- AOB240L
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 20 А (Ta), 105 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,9 Вт (Ta), 176 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: TO-263 (D²Pak), упаковка: Cut Tape.
- SIR878DP-T1-GE3
МДП-транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 40 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 5 Вт (Ta), 44,5 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- BSC040N10NS5ATMA1
Полевой транзистор MOSFET, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 2,5 Вт (Ta), 139 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
- IRF6614TRPBF
Полевой транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 12,7 А (Ta), 55 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,1 Вт (Ta), 42 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус изделия: DIRECTFET™ ST, упаковка: Cut Tape.
- STL130N6F7
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 130 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,8 Вт (Ta), 125 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PowerFlat™ (5x6), упаковка: Cut Tape.
- TPH2900ENH,L1Q
MOSFET транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 200 В, ток стока: Iс = 33 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 78 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- IPD025N06NATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 90 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 3 Вт (Ta), 167 Вт (Tc), монтаж на поверхность, корпус детали: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- SIR846DP-T1-GE3
МДП-транзистор, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 60 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc), SMT-монтаж, корпус детали: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- PSMN7R6-100BSEJ
MOSFET транзистор, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 75 А (Tj), максимальная мощность pассеивания: PD = 296 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BSC600N25NS3GATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 250 В, ток стока (непрерывный): Iс = 25 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 125 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус детали: PG-TDSON-8, упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед