- IPD30N08S2L21ATMA1
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 75 В, ток стока: Iс = 30 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 136 Вт (Tc), монтаж SMD, заводской корпус: PG-TO252-3, упаковка: Cut Tape.
- SI3440DV-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, полярность: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока: Iс = 1,2 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,14 Вт (Ta), монтаж SMD, заводской корпус: 6-TSOP, упаковка: Cut Tape.
- SI7405BDN-T1-GE3
Полевой транзистор, p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 12 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,6 Вт (Ta), 33 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® 1212-8, упаковка: Cut Tape.
- STD46P4LLF6
МОП-транзистор с p-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 46 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 70 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- SQ4850EY-T1_GE3
MOSFET транзистор, проводимость: n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 12 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 6,8 Вт (Tc), SMT-монтаж, упаковка: Cut Tape.
- TPH1R204PL,L1Q
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 150 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 960 мВт (Ta), 132 Вт (Tc), поверхностный монтаж, заводской корпус: 8-SOP Advance (5x5), упаковка: Cut Tape.
- SI4100DY-T1-E3
МДП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 6,8 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 6 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- NVTFS5811NLTAG
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 16 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,2 Вт (Ta), 21 Вт (Tc), SMT-монтаж, заводской корпус: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- NVTFS5820NLTAG
Полевой транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 11 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 3,2 Вт (Ta), 21 Вт (Tc), SMT-монтаж, тип корпуса: 8-WDFN (3.3x3.3), упаковка: Cut Tape.
- SI7143DP-T1-GE3
МОП-транзистор с каналом p-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока (непрерывный): Iс = 35 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 4,2 Вт (Ta), 35,7 Вт (Tc), монтаж SMT, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- FDMS86310
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 80 В, ток стока (непрерывный): Iс = 17 А (Ta), 50 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус: 8-PQFN (5x6), Power56, упаковка: Cut Tape.
- BUK9Y4R8-60E,115
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 238 Вт (Tc), монтаж SMT, заводской корпус: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- SI4090DY-T1-GE3
Полевой транзистор MOSFET, n-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 19,7 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,5 Вт (Ta), 7,8 Вт (Tc), поверхностный монтаж, тип корпуса: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- SI4850EY-T1-GE3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 6 А (Ta), максимальная мощность pассеивания: PD = 1,7 Вт (Ta), монтаж SMD, корпус изделия: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- TK33S10N1Z,LQ
MOSFET транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока: Iс = 33 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 125 Вт (Tc), SMD-монтаж, корпус изделия: DPAK+, упаковка: Cut Tape.
- PSMN1R4-40YLDX
Полевой транзистор с изолированным затвором с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока (непрерывный): Iс = 100 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 238 Вт (Tc), монтаж SMD, тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8, упаковка: Cut Tape.
- PHB32N06LT,118
МДП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока (непрерывный): Iс = 34 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 97 Вт (Tc), монтаж на поверхность, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- STD12N65M2
Полевой транзистор MOSFET с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 650 В, ток стока (непрерывный): Iс = 8 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 85 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: DPAK, упаковка: Cut Tape.
- BSC014N04LSATMA1
Полевой транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 40 В, ток стока: Iс = 32 А (Ta), 100 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 2,5 Вт (Ta), 96 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: SuperSO8, упаковка: Cut Tape.
- BUK9629-100B,118
МОП-транзистор с каналом n-типа, напряжение сток-исток: Uси max = 100 В, ток стока (непрерывный): Iс = 46 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 157 Вт (Tc), поверхностный монтаж, корпус детали: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- BUK9612-55B,118
MOSFET транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 55 В, ток стока (непрерывный): Iс = 75 А (Tc), максимальная мощность pассеивания: PD = 157 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: D2PAK, упаковка: Cut Tape.
- SI4455DY-T1-GE3
МДП-транзистор, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 150 В, ток стока (непрерывный): Iс = 2 А (Ta), рассеиваемая мощность: PD = 5,9 Вт (Tc), монтаж SMD, корпус детали: 8-SO, упаковка: Cut Tape.
- STD6N62K3
МОП-транзистор с n-каналом, напряжение сток-исток: Uси max = 620 В, ток стока (непрерывный): Iс = 5,5 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 90 Вт (Tc), монтаж SMT, корпус изделия: D-Pak, упаковка: Cut Tape.
- SI7149DP-T1-GE3
Полевой транзистор с изолированным затвором, проводимость: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 30 В, ток стока: Iс = 50 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 69 Вт (Tc), SMD-монтаж, тип корпуса: PowerPAK® SO-8, упаковка: Cut Tape.
- NVMFS5113PLT1G
МДП-транзистор, полярность: p-канал, напряжение сток-исток: Uси max = 60 В, ток стока: Iс = 10 А (Ta), 64 А (Tc), рассеиваемая мощность: PD = 3,8 Вт (Ta), 150 Вт (Tc), SMD-монтаж, заводской корпус: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), упаковка: Cut Tape.
Назад
Вперед